智能手機的效能表現往往取決於處理器、RAM 和儲存三方面，為了配合 5G 高速連線和用戶串流內容的需要，Samsung 日前發表了速度更高的 UFS 4.0 儲存晶片。相比起現時常用的 UFS 3.1，單管道頻寬提升兩倍，這項升級不但令手機更流暢，同時亦達到慳電的效果。
這款符合 JEDEC 固態技術協會 UFS 4.0 標準認證的 Samsung 全新儲存晶片，單管道頻寬最高可達 23.2Gbps，是 UFS 3.1 的兩倍，配合 Samsung 第七代 V-NAND 記憶體及控制器，連續讀取速度最高可達 4,200MB/s，而連續寫入速度則最高可達 2,800MB/s。
Samsung 特別提到 UFS 4.0 儲存晶片的能源效益，每毫安電流可提供 6.0MB/s 的連續讀取速度，是上代產品的 46%，有助減少手機的電源消耗。這款 UFS 4.0 儲存晶片將會在今年第三季量產，提供最高 1TB 容量，預計今年底或明年初上市的旗艦手機會開始採用。
資料及圖片來源：phandroid
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