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華為P10「溝ROM」事件後 再被發現記憶體由DDR4變DDR3

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Lawton
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iPhone 6S推出時,曾經鬧過中央處理器(CPU)雙胞胎事件,使用的A9晶片分三星與台積電兩款,後者被測出較低溫與省電。而今天華為P10亦面對相同問題,不少地方的用戶,都發現了主機內置了三款不同的ROM,彼此之間相差的速度可達4倍之多。而事件還未平息之際,再有人發現手機記憶體用上了DDR3,而並非Spec表之中聲稱的DDR4記憶體。


這位名為Roteflugel的日本網友,在他的Twitter中發表一張圖片,說明了主機的記憶體是使用了DDR3。他在手機安裝了「Terminal Emulator for Android」這款Android平台專用的指令行模擬程式,而網上亦有教學,使用此App可在免Root的情況下,查看主機各種硬件。

之前有網民就用「cat /proc/scsi/scsi」指令,查出ROM的種類除了有UFS2.1之外,更有UFS2.0、eMMC等較慢的記憶晶片。而今次該日本網友用了「cat proc/ddr_rod」指令,查出記憶體種類為DDR3,並非官方發表的DDR4記憶體。(編者按:雖然表示出DDR3,但亦有可能是程式不支援DDR4而錯誤表示)

▲當被發現溝ROM之後,華為網站曾一度將ROM的介紹文消去

華為P10早前被發現「溝ROM」,有網民測速最快可得到800mb/s而最慢的則只有200mb/s。官方回應指手機的使用體驗,並不是單由一個部件的效能來決定。但相信消費者很難接受用同一金額購買同一款產品,會在個別的性能上有差距。

 

 

資料來源:Twitter


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