隨著 DRAM 及 NAND Flash 的製程壓縮已接近極限，各大廠商已開始研發各種新一代記憶體，比如 IBM 現主力發展 PRAM 型記憶體，而 Samsung 則主攻 MRAM（磁阻式隨機存取）記憶體，當中後者的最大賣點是資料存取速度比 NAND 快 1,000 倍，據報 Samsung 已準備在 5 月 24 日一個活動上公開最新成果。
作為一款非揮發性記憶體，MRAM 所採用的自旋扭矩傳輸技術存取速度不但比 NAND 快 1,000 倍，同時亦具備不少優點，比如耗用功率更低，非運行時所需功率為零，而且耐用性亦不比 DRAM 差，對於電量有限的流動裝置可說是一個最佳選擇，若然日後應用在智能手機等產品之上，相信必定可更快更慳電。
雖然 MRAM 聽起來好處多多，而且至今亦已經發展了超過 20 年，但可惜短期內應該仍難以取代舊式記憶體的地位，皆因在新一代記憶體 MRAM、PRAM 及 RRAM 之中，MRAM 是屬於最難量產的一種，而且據報 Samsung 現時只能製作出幾 MB 的 MRAM。正因如此 MRAM 目前只適用於作為 SoC 處理器的緩存，而初期亦只會應用在部份物聯網裝置上，直到進一步將容量提高之後，才會擴展至手機及平板等常用裝置。
來源：PhoneArena