電晶體這個聽起來很難理解的東西，其實是手中所有電子產品運作的核心，其中的技術不斷在高速發展，令運算速度亦有所提升。最近這方面的研究更有重大突破。
一直以來科學界都認為小於 5nm 的線寬，會出現量子力學中的量子穿隧效應，部分電子可能穿過閘極造成漏電流，甚至有可能令電晶體整個無法關閉造成失控。來自 UC Berkeley 的研究員 Sujai Desay 表示，使用納米碳管和二硫化鉬（MoS2）等物料，就可以解決這個限制，控制電子流不會漏出。
現時例如台積電等晶體製造商都在積極研製更細小的電晶體，早前透露過正在研發 3nm 的電晶體時已經震撼業界，而今次 UC Berkeley 的研究雖然成功製造 1nm 電晶體，但研究仍然在初步階段，要實際量產仍然有漫長的研發要進行。不過證實了 5nm 的限制是可以突破之後，對於未來電晶體技術發展可說是打了一支強心針。
來源：UC Berkeley